Samsung MZ-V9S4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7250 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC
| Peso y dimensiones |
| Altura | 80,2 mm |
| Ancho | 80,2 mm |
| Peso | 9 g |
| Profundidad | 2,38 mm |
| Condiciones ambientales |
| Golpes en funcionamiento | 1500 G |
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 ?C |
| Control de energ?a |
| Consumo de energ?a (escritura) | 4,8 W |
| Consumo de energ?a (espera) | 0,06 W |
| Consumo de energ?a (lectura) | 5,5 W |
| Consumo de potencia DevSlp (modo sue?o) | 5 mW |
| Voltaje de operaci?n | 3,3 V |
| Empaquetado |
| Altura del paquete | 22 mm |
| Ancho del paquete | 148 mm |
| Peso del paquete | 70 g |
| Profundidad del paquete | 100 mm |
| Caracter?sticas |
| Algoritmos de seguridad soportados | 256-bit AES |
| Componente para | PC |
| Encriptaci?n de hardware |  |
| Escritura aleatoria (4KB) | 1400000 IOPS |
| Factor de forma de disco SSD | M.2 |
| Funci?n DevSleep |  |
| Interfaz | PCI Express 4.0 |
| Lectura aleatoria (4KB) | 1050000 IOPS |
| NVMe |  |
| SDD, capacidad | 4 TB |
| Soporte S.M.A.R.T. |  |
| Soporte TRIM |  |
| Tama?o de la unidad SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Tiempo medio entre fallos | 1500000 h |
| Tipo de memoria | V-NAND TLC |
| Velocidad de escritura | 6300 MB/s |
| Velocidad de lectura | 7250 MB/s |
| Versi?n NVMe | 2.0 |
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